AI科普解读 软磁复合材料的“防水防锈”难题 非晶软磁复合材料(ASMC)因其高饱和磁化强度、低矫顽力和高电阻率,在新能源汽车、家用电器等高频电子器件中扮演重要角色。然而,这类材料在实际应用中面临一个严峻挑战:腐蚀。当ASMC暴露在潮湿空气或含盐环境中时,铁基颗粒会发生电化学腐蚀,生成Fe₂O₃、FeO(OH)等锈蚀产物。这些产物不仅破坏材料结构,还会导致磁导率下降、损耗增加,最终使器件失效。 传统的防护方法——如有机涂层、磷酸盐或硝酸盐钝化层——往往存在附着力差、易开裂、热处理后失效等问题。而金属氧化物绝缘层(如ZnO、MgO、Al₂O₃)虽热稳定性好,但颗粒分布不均或易团聚,难以形成连续致密的保护层。因此,如何制备一种均匀、致密、与基体结合牢固且不影响磁性能的绝缘层,成为该领域的研究热点。 双硅源策略:给磁粉穿“二氧化硅铠甲” 研究人员提出了一种双硅源表面改性策略,以FeSiBCr非晶粉末为基体,通过两步反应构建SiO₂绝缘层:第一步,表面功能化:使用3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)作为表面改性剂。APTES分子中含有极性的–NH₂基团,能牢固吸附在FeSiBCr颗粒表面;其另一端的–Si–OC₂H₅基团则可水解生成Si–OH,为后续反应提供“挂钩”。第二步,SiO₂层生长:加入正硅酸四乙酯(TEOS)作为水解前驱体。在氨水催化下,TEOS水解生成硅酸(Si(OH)₄),并与APTES末端的Si–OH发生缩聚反应,逐渐在FeSiBCr表面形成一层均匀、致密、无定形的SiO₂绝缘层。通过调控TEOS的加入量,可以精确控制SiO₂层的厚度(从13 nm到27 nm),并实现SiO₂层的均匀完整包覆。这种双硅源策略的关键在于:APTES充当了“桥梁”,使原本与FeSiBCr亲和性差的TEOS能够均匀附着并反应,从而获得高质量的绝缘层。 微观“铠甲”如何工作?——阻电流、挡腐蚀 1) 提升电阻率,降低涡流损耗 在交变磁场下,软磁材料内部会产生涡流。涡流越大,能量损耗(涡流损耗)越高,器件发热越严重。SiO₂层是高电阻绝缘体,显著提高了复合材料的整体电阻率,并能有效隔离FeSiBCr颗粒之间涡流损耗。实验数据表明:未包覆SiO₂时,ASMC的电阻率较低;当SiO₂含量为0.45 wt.%时,电阻率达到峰值,相应的涡流损耗降至最低——在0.05 T/100 kHz条件下为183.58 mW/cm³,在0.05 T/1 MHz条件下为2367.9 mW/cm³。 2) 提高疏水性,阻挡腐蚀介质 水接触角测试显示:原始FeSiBCr粉末的水接触角为64.6°(亲水),而包覆SiO₂后增至106.9°(疏水)。这意味着SiO₂层能有效减少电解液在颗粒表面的附着和渗透,从而抑制电化学腐蚀的发生。 3) 增加界面电位,延缓电子释放 通过扫描开尔文探针力显微镜测量表面电势发现:未包覆的FeSiBCr界面电势仅为-31.16 mV(较负,易失电子),而包覆SiO₂后升至+38.81 mV。较高的界面电位意味着电子逸出需要更大能量,从而抑制阳极氧化反应(Fe → Fe²⁺ + 2e⁻),减缓腐蚀速率。 性能大飞跃:磁性与防腐兼得 最佳配方:FeSiBCr/SiO₂-0.45 wt.% ASMC(即TEOS加入量为0.45 wt.%)。磁性能参数:饱和磁化强度达到157.9 emu/g。有效磁导率稳定在22.6,且在452 MHz频率范围内保持稳定。直流偏置能力高达87.7%,表明材料抗饱和能力强。截止频率达到1.4 GHz,适用于高频应用。功率损耗在0.05 T/100 kHz条件下为183.58 mW/cm³,在0.05 T/1 MHz条件下为2367.9 mW/cm³。 与未包覆样品相比,SiO₂包覆显著降低了涡流损耗(因为电阻率提高),同时保持了较高的磁导率和截止频率。在3.5 wt.% NaCl溶液中浸泡24小时后,未包覆样品表面完全被红褐色锈蚀物覆盖(主要成分为Fe₂O₃和FeO(OH)),而包覆样品表面仅出现少量黄色斑点,扫描电镜下未见明显腐蚀产物。电化学测试表明:包覆样品的腐蚀电位更正(-0.80 V对比未包覆的-0.82 V),腐蚀电流更小,电荷转移电阻是未包覆样品的2至3倍,表明腐蚀速率显著降低。浸泡24小时后,包覆样品的有效磁导率下降幅度小于10%,功率损耗增加小于5%;而未包覆样品性能急剧恶化,磁导率下降超过30%,功率损耗增加超过50%。 未来应用前景 这种双硅源构建的SiO₂绝缘层策略,具有以下优势:工艺简单:在常温液相中即可完成,适合规模化生产。厚度可调:通过改变TEOS用量精准控制绝缘层厚度,平衡磁性能和绝缘性。普适性强:可推广到其他铁基软磁复合材料或金属粉末的表面防护。未来,该材料有望应用于新能源汽车电机、5G基站电感器、高频变压器等需要高磁性能和高耐候性的场景,尤其适合在潮湿、盐雾等恶劣环境中长期服役。 图片解析 图 1:(a) 双硅源策略制备FeSiBCr/SiO₂非晶软磁复合材料示意图;(b) 详细反应过程。 图6:(a) FeSiBCr/SiO₂ –0.00 wt.% 粉末在NaCl溶液中浸泡15天后的XRD图谱。(b) XPS-Fe 2p谱图。(c) XPS-O 1s谱图。(d) FeSiBCr/SiO₂ –0.00 wt.% 粉末腐蚀后的照片。(e, f) 腐蚀后粉末的TEM图像。(g) (e)中红色方框对应的元素分布图。(h) 腐蚀产物的HRTEM图像。(i) (h)中红色方框的放大图,插图为对应的FFT图像。(j) FeSiBCr粉末的腐蚀过程示意图。 作者简介
图 2:(a) SiO₂前驱体的热重曲线;(b) SiO₂前驱体及不同FeSiBCr/SiO₂粉末在430 °C退火1 h后的XRD图谱;(c) FeSiBCr/SiO₂-0.45 wt.%粉末在430°C退火1小时后的Si 2p XPS谱;(d) 不同FeSiBCr/SiO₂粉末的FTIR谱。
图 3:(a1-e1) 不同FeSiBCr/SiO₂粉末的SEM图像;(a2-e2) 对应的TEM图像。(f) FeSiBCr/SiO₂-1.35 wt.%粉末的元素面分布图。(g) FeSiBCr/SiO₂-1.35 wt.%粉末绝缘层的高分辨TEM图像。(h) (g)中红色虚线方框的快速傅里叶变换图像。(i) FeSiBCr/SiO₂-0.45 wt.% ASMC的截面图像。(j) (i)中橙色虚线方框的元素面分布图。(k) 沿(j)中橙色箭头的不同元素线扫描图。
图 4:(a) 不同FeSiBCr/SiO₂ ASMC的功率损耗三维分布图;(b) 磁滞损耗三维分布图;(c) 涡流损耗三维分布图。(d) 在0.05 T/100 kHz条件下不同FeSiBCr/SiO₂ ASMC的磁滞损耗和涡流损耗。(e) 不同FeSiBCr/SiO₂ ASMC的矫顽力和磁滞损耗。(f) 不同ASMC的电阻率和涡流损耗。
图 5:(a) 不同FeSiBCr/SiO₂ ASMC的直流偏置性能曲线。(b) 磁谱的实部μ';(c) 磁谱的虚部μ″,插图为不同ASMC的截止频率。(d) 不同ASMC的稳定磁导率(下降10%)。
图 7:(a) FeSiBCr/SiO₂-0.45 wt.%粉末腐蚀后的光学照片;(b) TEM图像;(c) XRD图谱。(d) SiO₂绝缘层的防腐机理示意图。(e) FeSiBCr/SiO₂-0.00 wt.%和FeSiBCr/SiO₂-0.45 wt.%粉末的接触角。(f) 绝缘层降低电化学腐蚀速率的原理示意图。(g1) FeSiBCr/SiO₂-0.00 wt.% ASMC的AFM图像;(g2) 伏特电位图;(g3) 沿(g2)中白色箭头的伏特电位分布。(h1) FeSiBCr/SiO₂-0.45 wt.% ASMC的AFM图像;(h2) 伏特电位图;(h3) 沿(h2)中白色箭头的伏特电位分布。
图 8:(a1-a4) FeSiBCr/SiO₂-0.00 wt.% ASMC在NaCl溶液中浸泡0、1、8、24小时后的照片;(b1-b4) 对应的SEM图像。(c1-c4) FeSiBCr/SiO₂-0.45 wt.% ASMC在NaCl溶液中浸泡0、1、8、24 h后的照片;(d1-d4) 对应的SEM图像。
图 9:(a) FeSiBCr/SiO₂-0.00 wt.% ASMC和FeSiBCr/SiO₂-0.45 wt.% ASMC的开路电位曲线;(b) Tafel曲线。(c) 浸泡后FeSiBCr/SiO₂-0.00 wt.% ASMC和FeSiBCr/SiO₂-0.45 wt.% ASMC的电化学阻抗谱。(d) 不同样品阻抗实部变化,插图为阻抗谱的等效电路。(e) 不同浸泡时间下ASMC的有效磁导率;(f) 功率损耗。
张雪峰教授团队瞄准磁性功能材料的应用与基础研究,聚焦软磁材料、永磁材料、电磁兼容材料等研究方向。近5年,团队承担了一批国家级科研项目,其中包括国家重点研发、国际科技合作项目、国家自然科学基金等50余项,在Nat. Comm., Adv. Mater., 等期刊发表SCI论文200余篇,授权国家发明专利100余件。围绕国家重大战略需求,团队与国内众多龙头企业建立了研发合作。
引用本文 Mengyi Zhao, Zhaoyuan Liu, Hongxia Li, Wenhan Zhang, Zhong Li, Erpan Zhang, Huawei Rong, Rongzhi Zhao, Xuefeng Zhang, Dual-silicon-source engineered FeSiBCr/SiO₂ amorphous soft magnetic composites with enhanced corrosion resistance and magnetic properties, J. Mater. Sci. Technol. 257 (2026) 60-72. https://doi.org/10.1016/j.jmst.2025.09.013.
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